11月16日消息，Rapidus和东京大学将与法国半导体研究所Leti合作，共同开发1纳米电路线宽的下一代半导体设计基础技术。双方的目标是建立设计和开发线宽为1.4 nm至1 nm的半导体所需的基础技术。 1纳米产品需要与传统晶体管（元件）不同的结构，而Leti在该领域的成膜等关键技术上具有优势。